MOSFET Vishay SiZF920DT-T1-GE3, PowerPAIR 6 x 5 F de 8 pines, 2elementos, config. Doble

Código RS:: 188-5009
Nº ref. fabric.:: SiZF920DT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SiZF920DT-T1-GE3, PowerPAIR 6 x 5 F de 8 pines, 2elementos, config. Doble

999999999 Disponible para entrega en 24 horas

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

2,272 €

(exc. IVA)

2,749 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 20	2,272 €	11,36 €
25 - 95	1,894 €	9,47 €
100 - 495	1,466 €	7,33 €
500 - 995	1,28 €	6,40 €
1000 +	1,056 €	5,28 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-5009
Nº ref. fabric.:: SiZF920DT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SiZF920DT-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET Dual N-Channel 30 V (D-S) con Diodo Schottky.

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
MOSFET SkyFET® de lado bajo con Schottky integrado

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	197 (Canal 2) A, 76 (Canal 1) A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 (Canal 1) V, 30 (Canal 2) V.
Tipo de Encapsulado	PowerPAIR 6 x 5 F
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0014 (canal 2) Ω, 0,005 (canal 1) Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V
Disipación de Potencia Máxima	28 W, 74 W
Configuración de transistor	Doble
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+16 V, +20 V, -12 V, -16 V.
Ancho	5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 15 V (canal 1), 83 nC a 15 V (canal 2)
Longitud	6.1mm
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.7mm

MOSFET Vishay SiZF920DT-T1-GE3, PowerPAIR 6 x 5 F de 8 pines, 2elementos, config. Doble

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