MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZF906BDT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 257 A, PowerPAIR 6 x 5F, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2941
Nº ref. fabric.:
SiZF906BDT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

257A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAIR 6 x 5F

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0021Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N doble de 30 V (D-S) Vishay.

100 % Rg y UIS probados

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