MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 257 A, PowerPAIR 6 x 5F, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.995,00 €

(exc. IVA)

2.415,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,665 €1.995,00 €

*precio indicativo

Código RS:
228-2940
Nº ref. fabric.:
SiZF906BDT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

257A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAIR 6 x 5F

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0021Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N doble de 30 V (D-S) Vishay.

100 % Rg y UIS probados

Enlaces relacionados