MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 19.1 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 204-7263
- Nº ref. fabric.:
- SIZ270DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1.707,00 €
(exc. IVA)
2.064,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 29 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,569 € | 1.707,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-7263
- Nº ref. fabric.:
- SIZ270DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SiZ270DT | |
| Encapsulado | PowerPAIR de 3 x 3S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0377Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SiZ270DT | ||
Encapsulado PowerPAIR de 3 x 3S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0377Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de canal N doble de 100 V (D-S) de Vishay son una etapa de potencia de medio puente MOSFET integrada y tienen una relación QGS/QGS optimizada que mejora las características de conmutación.
100 % RG y prueba UIS
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Enlaces relacionados
- MOSFET Vishay VDSS 100 V PowerPAIR de 3 x 3S 2, config.
- MOSFET Vishay VDSS 70 V PowerPAIR de 3 x 3S 2, config. Doble
- MOSFET Vishay VDSS 30 V PowerPAIR de 3 x 3S 2, config. Doble
- MOSFET Vishay VDSS 70 V PowerPAIR de 3 x 3S 2, config. Doble
- MOSFET Vishay VDSS 40 V PowerPAIR de 3 x 3S 2, config. Doble
- MOSFET Vishay VDSS 70 V PowerPAIR de 3 x 3S 2, config.
- MOSFET Vishay VDSS 30 V PowerPAIR de 3 x 3S 2, config.
- MOSFET Vishay VDSS 70 V PowerPAIR de 3 x 3S 2, config.