MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 48 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 200-6853
- Nº ref. fabric.:
- SiZ240DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,169 € | 29,23 € |
| 50 - 100 | 0,982 € | 24,55 € |
| 125 - 225 | 0,936 € | 23,40 € |
| 250 - 600 | 0,877 € | 21,93 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 200-6853
- Nº ref. fabric.:
- SiZ240DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 48A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Encapsulado | PowerPAIR de 3 x 3S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00805Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 48A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Encapsulado PowerPAIR de 3 x 3S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00805Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SiZ240DT-T1-GE3 es un MOSFET de canal N doble 40V (D-S).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Etapa de potencia de medio puente MOSFET integrada
100 % Rg y prueba UIS
La relación QGS/QGS optimizada mejora las características de conmutación
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