MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ340BDT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 69.3 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 228-2939
- Nº ref. fabric.:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,669 € | 16,73 € |
| 125 - 225 | 0,602 € | 15,05 € |
| 250 - 600 | 0,569 € | 14,23 € |
| 625 - 1225 | 0,468 € | 11,70 € |
| 1250 + | 0,334 € | 8,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2939
- Nº ref. fabric.:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 69.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAIR de 3 x 3S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00856Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 69.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAIR de 3 x 3S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00856Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N doble de 30 V (D-S) Vishay.
100 % Rg y UIS probados
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