MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZF928DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 258 A, PowerPAIR 6 x 5F, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 228-2943
- Nº ref. fabric.:
- SiZF928DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,84 € | 14,20 € |
| 50 - 120 | 2,672 € | 13,36 € |
| 125 - 245 | 2,412 € | 12,06 € |
| 250 - 495 | 2,27 € | 11,35 € |
| 500 + | 2,132 € | 10,66 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2943
- Nº ref. fabric.:
- SiZF928DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 258A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAIR 6 x 5F | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00245Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 258A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAIR 6 x 5F | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00245Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N doble de 30 V Vishay.
100 % Rg y UIS probados
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