MOSFET Vishay SiZF920DT-T1-GE3, PowerPAIR 6 x 5 F de 8 pines, 2elementos, config. Doble

Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

197 (Canal 2) A, 76 (Canal 1) A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (Canal 1) V, 30 (Canal 2) V.

Tipo de Encapsulado

PowerPAIR 6 x 5 F

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,0014 (canal 2) Ω, 0,005 (canal 1) Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V

Disipación de Potencia Máxima

28 W, 74 W

Configuración de transistor

Doble

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+16 V, +20 V, -12 V, -16 V.

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19 nC a 15 V (canal 1), 83 nC a 15 V (canal 2)

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

5.1mm

Altura

0.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C