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    MOSFET Vishay SiZF920DT-T1-GE3, PowerPAIR 6 x 5 F de 8 pines, 2elementos, config. Doble

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    Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

    0,65 €

    (exc. IVA)

    0,79 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Por unidad
    Por Carrete*
    3000 +0,65 €1.950,00 €

    *precio indicativo

    Código RS:
    188-4910
    Nº ref. fabric.:
    SiZF920DT-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje197 (Canal 2) A, 76 (Canal 1) A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente30 (Canal 1) V, 30 (Canal 2) V.
    Tipo de EncapsuladoPowerPAIR 6 x 5 F
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines8
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente0,0014 (canal 2) Ω, 0,005 (canal 1) Ω
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V
    Tensión de umbral de puerta mínima1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V
    Disipación de Potencia Máxima28 W, 74 W
    Configuración de transistorDoble
    Tensión Máxima Puerta-Fuente+16 V, +20 V, -12 V, -16 V.
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Número de Elementos por Chip2
    Ancho5.1mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs19 nC a 15 V (canal 1), 83 nC a 15 V (canal 2)
    Longitud6.1mm
    Altura0.7mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C

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