Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal Si7252ADP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 13.1 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet

Código RS:: 228-2827
Nº ref. fabric.:: Si7252ADP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal Si7252ADP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 13.1 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 45	1,706 €	8,53 €
50 - 120	1,622 €	8,11 €
125 - 245	1,366 €	6,83 €
250 - 495	1,282 €	6,41 €
500 +	1,192 €	5,96 €

*precio indicativo

Código RS:: 228-2827
Nº ref. fabric.:: Si7252ADP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	13.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	PowerPAK 1212
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	18.6mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	13.1nC
	Tensión directa Vf	100V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Configuración de transistor	Mosfet de doble canal N
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 13.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado PowerPAK 1212
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18.6mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.1nC
	Tensión directa Vf 100V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Configuración de transistor Mosfet de doble canal N
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - Si7252ADP-T1-GE3

El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de lado primario dc/dc, telecomunicaciones/servidor, control de accionamiento de motor y rectificación síncrona.

PWM optimizada

100 % Rg y UIS probados

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal Si7252ADP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 13.1 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet

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