MOSFET Vishay, Tipo N-Canal Si7252ADP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 13.1 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet

Ver todo MOSFET
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2827
Nº ref. fabric.:
Si7252ADP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

100V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.1nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Mosfet de doble canal N

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de lado primario dc/dc, telecomunicaciones/servidor, control de accionamiento de motor y rectificación síncrona.

PWM optimizada

100 % Rg y UIS probados

Enlaces relacionados