MOSFET Vishay SISF06DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 101 A, POWERPAK 1212-8SCD de 8 pines, 2elementos

Código RS:: 204-7260
Nº ref. fabric.:: SISF06DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SISF06DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 101 A, POWERPAK 1212-8SCD de 8 pines, 2elementos

10 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,682 €

(exc. IVA)

0,825 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 80	0,682 €	13,64 €
100 - 180	0,58 €	11,60 €
200 - 480	0,478 €	9,56 €
500 - 980	0,434 €	8,68 €
1000 +	0,423 €	8,46 €

*precio indicativo

Código RS:: 204-7260
Nº ref. fabric.:: SISF06DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SISF06DN-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de canal N doble de drenaje común Vishay 30 V (S1-S2) es un MOSFET de canal N de drenaje común integrado en un encapsulado térmicamente mejorado y compacto.

Resistencia de conexión de fuente a fuente muy baja
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	101 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	POWERPAK 1212-8SCD
Serie	SiSF06DN
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0045 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.3V
Número de Elementos por Chip	2

MOSFET Vishay SISF06DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 101 A, POWERPAK 1212-8SCD de 8 pines, 2elementos

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