MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SISF06DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 101 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
204-7260
Nº ref. fabric.:
SISF06DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

101A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiSF06DN

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0045Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

69.4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

0.73mm

Anchura

3.3 mm

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N doble de drenaje común Vishay 30 V (S1-S2) es un MOSFET de canal N de drenaje común integrado en un encapsulado térmicamente mejorado y compacto.

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