MOSFET Vishay SiSF20DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, PowerPAK 1212-8SCD de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

Código RS:: 188-4891
Nº ref. fabric.:: SiSF20DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SiSF20DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, PowerPAK 1212-8SCD de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 24/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,783 €

(exc. IVA)

0,947 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,783 €	2.349,00 €
*precio indicativo

Código RS:: 188-4891
Nº ref. fabric.:: SiSF20DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SiSF20DN-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Común - Drenar MOSFET Dual N-Channel 60 V (S1-S2).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Fuente a fuente muy baja en resistencia
MOSFETs integrados de n-canal de drenaje común en un paquete compacto y térmicamente mejorado

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8SCD
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	18 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	69,4 W
Configuración de transistor	Drenaje común
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Ancho	3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	2
Longitud	3.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	0.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 188-4891
Nº ref. fabric.:: SiSF20DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Datasheet SiSF20DN-T1-GE3

MOSFET Vishay SiSF20DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, PowerPAK 1212-8SCD de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

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