MOSFET de potencia Vishay, N-Canal SiSF20DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 188-4891
- Nº ref. fabric.:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
- Código RS:
- 188-4891
- Nº ref. fabric.:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69.4W | |
| Configuración de transistor | Drenaje común | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69.4W | ||
Configuración de transistor Drenaje común | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.4mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Común - Drenar MOSFET Dual N-Channel 60 V (S1-S2).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Fuente a fuente muy baja en resistencia
MOSFETs integrados de n-canal de drenaje común en un paquete compacto y térmicamente mejorado
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 60 V PowerPAK 1212 2, config.
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 25 V PowerPAK 1212 2, config.
- MOSFET Vishay VDSS 100 V PowerPAK 1212 2, config. Mosfet de
- MOSFET Vishay VDSS 30 V PowerPAK 1212 2, config. Doble
- MOSFET Vishay Tipo P-Canal SI7129DN-T1-GE3 ID 35 A Mejora de 8 pines config.
- MOSFET Vishay VDSS 20 V PowerPAK 1212-8 de 8 pines, config. Simple
- MOSFET de potencia VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines