MOSFET de potencia Vishay, N-Canal SISF02DN-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 60 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 188-4890
- Nº ref. fabric.:
- SISF02DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-4890
- Nº ref. fabric.:
- SISF02DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -12V, +16V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69.4W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Configuración de transistor | Drenaje común | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -12V, +16V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69.4W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Configuración de transistor Drenaje común | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.4mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Drenaje común Dual N-Canal 25 V (S1-S2) MOSFET.
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Fuente a fuente muy baja en resistencia
MOSFETs integrados de n-canal de drenaje común en un paquete compacto y térmicamente mejorado
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