MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SISF02DN-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 60 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2,

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Código RS:
188-4999
Nº ref. fabric.:
SISF02DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

TrenchFET Gen IV

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

69.4W

Configuración de transistor

Drenaje común

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Altura

0.75mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.4mm

Anchura

3.4 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

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