Inicia sesión / Regístrate para acceder a todas las ventajas de tu cuenta
Búsquedas recientes

    MOSFET Vishay SiSHA12ADN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 25 A, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines, , config. Simple

    Ver todo MOSFET
    Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 04/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
    Unidades

    Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

    0,662 €

    (exc. IVA)

    0,801 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Por unidad
    Por Pack*
    25 - 1000,662 €16,55 €
    125 - 2250,629 €15,725 €
    250 - 6000,563 €14,075 €
    625 - 12250,404 €10,10 €
    1250 +0,318 €7,95 €

    *precio indicativo

    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    188-4936
    Nº ref. fabric.:
    SiSHA12ADN-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje25 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
    Tipo de EncapsuladoPowerPAK 1212-8SH
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines8
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente6 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima2.2V
    Tensión de umbral de puerta mínima1.1V
    Disipación de Potencia Máxima28 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-16 V, +20 V
    Número de Elementos por Chip1
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Ancho3.3mm
    Longitud3.3mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs29,5 nC a 10 V
    Altura0.93mm
    Tensión de diodo directa1.2V
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C

    Enlaces relacionados