MOSFET, N-Canal Vishay SiSHA12ADN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-4936
Nº ref. fabric.:
SiSHA12ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSHA12ADN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

28W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-16V, +20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.3mm

Longitud

3.3mm

Altura

930μm

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Channel 30 V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

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