MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS54DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 185.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

8,90 €

(exc. IVA)

10,75 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Está siendo descatalogado
  • Últimas 5965 unidad(es) disponibles desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 451,78 €8,90 €
50 - 1201,60 €8,00 €
125 - 2451,282 €6,41 €
250 - 4951,156 €5,78 €
500 +0,96 €4,80 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2933
Nº ref. fabric.:
SiSS54DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

185.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.06mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de 30 V (D-S) Vishay.

100 % Rg y UIS probados

Enlaces relacionados