Nº ref. fabric.

MOSFET, N-Canal Vishay SISA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Código RS:: 768-9307
Nº ref. fabric.:: SISA04DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

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Código RS:: 768-9307
Nº ref. fabric.:: SISA04DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	PowerPAK 1212
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.1mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	730mV
	Disipación de potencia máxima Pd	52W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-16V, +20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	51nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.12mm
	Anchura	3.15mm
	Longitud	3.15mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado PowerPAK 1212
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 730mV
	Disipación de potencia máxima Pd 52W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -16V, +20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.12mm
	Anchura 3.15mm
	Longitud 3.15mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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