MOSFET Vishay SISA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 768-9307
Nº ref. fabric.:: SISA04DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SISA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

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Precio unitario (En una bolsa de 2)

1,12 €

(exc. IVA)

1,36 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Bolsa*
2 - 18	1,12 €	2,24 €
20 - 98	1,055 €	2,11 €
100 - 198	0,95 €	1,90 €
200 - 498	0,895 €	1,79 €
500 +	0,84 €	1,68 €

*precio indicativo

Código RS:: 768-9307
Nº ref. fabric.:: SISA04DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Serie	TrenchFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,1 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.1V
Disipación de Potencia Máxima	52 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +20 V
Ancho	3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	51 nC a 10 V
Longitud	3.15mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.12mm