MOSFET, N-Canal Vishay SISA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 768-9307
- Nº ref. fabric.:
- SISA04DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Consigue un descuento por cantidad
Añade 20 más para ahorrar 2,20 €
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bolsa de 2 unidades)*
3,74 €
(exc. IVA)
4,52 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 01 de diciembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bolsa* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,87 € | 3,74 € | - |
| 20 - 98 | 1,76 € | 3,52 € | 2,20 € |
| 100 - 198 | 1,585 € | 3,17 € | 28,50 € |
| 200 - 498 | 1,49 € | 2,98 € | 76,00 € |
| 500 + | 1,405 € | 2,81 € | 232,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 768-9307
- Nº ref. fabric.:
- SISA04DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 730mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.15mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16V, +20V | ||
Tensión directa Vf 730mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.15mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 70 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 70 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines