Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

Código RS:: 787-9399
Nº ref. fabric.:: SIS892ADN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:: 787-9399
Nº ref. fabric.:: SIS892ADN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	PowerPAK 1212-8
	Serie	SiS892ADN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.033Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.1nC
	Tensión directa Vf	0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd	52W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	3.4mm
	Altura	1.12mm
	Anchura	3.4 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado PowerPAK 1212-8
	Serie SiS892ADN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.1nC
	Tensión directa Vf 0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd 52W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 3.4mm
	Altura 1.12mm
	Anchura 3.4 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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