MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 787-9399
- Nº ref. fabric.:
- SIS892ADN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- SIS892ADN-T1-GE3
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SiS892ADN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.033Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SiS892ADN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Anchura 3.4mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
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