MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS184LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 69.4 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
268-8342
Nº ref. fabric.:
SIS184LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

69.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIS

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0054Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, interruptor de accionamiento de motor, interruptor de batería y carga.

Cifra de mérito muy baja

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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