MOSFET Vishay SIS862ADN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-4951
Nº ref. fabric.:: SIS862ADN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIS862ADN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

8975 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

0,706 €

(exc. IVA)

0,854 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 - 100	0,706 €	17,65 €
125 - 225	0,636 €	15,90 €
250 - 600	0,60 €	15,00 €
625 - 1225	0,459 €	11,475 €
1250 +	0,395 €	9,875 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-4951
Nº ref. fabric.:: SIS862ADN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SIS862ADN-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET N-Channel 60 V (D-S)

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM)
Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	11 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	39 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Ancho	3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19,8 nC a 10 V
Longitud	3.15mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.1V
Altura	1.07mm

MOSFET Vishay SIS862ADN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

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Especificaciones

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