MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISHA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
188-5146
Nº ref. fabric.:
SISHA10DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiSHA10DN

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.93mm

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Channel 30 V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

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