MOSFET Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 787-9383
Nº ref. fabric.:: SIS468DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Tiras de 5)

1,184 €

(exc. IVA)

1,433 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Cinta*
5 - 45	1,184 €	5,92 €
50 - 245	1,062 €	5,31 €
250 - 495	1,004 €	5,02 €
500 - 1245	0,768 €	3,84 €
1250 +	0,686 €	3,43 €

*precio indicativo

Código RS:: 787-9383
Nº ref. fabric.:: SIS468DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Serie	ThunderFET
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	32 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	52 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	18,1 nC a 10 V
Longitud	3.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.12mm