MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
787-9383
Nº ref. fabric.:
SIS468DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

ThunderFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Tensión directa Vf

0.78V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Anchura

3.4 mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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