MOSFET, N-Canal Vishay SISHA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
188-4897
Nº ref. fabric.:
SISHA10DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiSHA10DN

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-16V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.3mm

Longitud

3.3mm

Altura

930μm

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Channel 30 V (D-S).

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