MOSFET Vishay SISA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-7077
Nº ref. fabric.:: SISA10DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SISA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,425 €

(exc. IVA)

0,514 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,425 €	1.275,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-7077
Nº ref. fabric.:: SISA10DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	TrenchFET
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.1V
Disipación de Potencia Máxima	39 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +20 V
Longitud	3.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	34 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	3.4mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C