MOSFET Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-4904
Nº ref. fabric.:: SISS60DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 04/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,545 €

(exc. IVA)

0,659 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,545 €	1.635,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-4904
Nº ref. fabric.:: SISS60DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SISS60DN-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET N-Channel 30 V (D-S) con Diodo Schottky.

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
SKYFET® con diodo Schottky monolítico
RDS x Qg y RDS x QGD FOM optimizados permiten una mayor eficiencia en la conmutación de alta frecuencia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	181.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8S
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,01 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	65.8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +16 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	57 nC a 10 V
Longitud	3.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	0.78mm
Tensión de diodo directa	0.68V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

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