MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
228-2930
Nº ref. fabric.:
SiSH892BDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET POWERPAK de canal N de 100 V (D-S) de Vishay.

100 % Rg y UIS probados

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