MOSFET Vishay SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-5134
Nº ref. fabric.:: SIS126DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 23/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,064 €

(exc. IVA)

1,287 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	1,064 €	10,64 €
100 - 240	1,012 €	10,12 €
250 - 490	0,766 €	7,66 €
500 - 990	0,691 €	6,91 €
1000 +	0,639 €	6,39 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-5134
Nº ref. fabric.:: SIS126DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SIS126DN-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET N-Canal 80 V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM)
Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	45.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	12,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	52 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Ancho	3.15mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	21,1 nC a 10 V
Longitud	3.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.1V
Altura	1.07mm

MOSFET Vishay SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

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Especificaciones

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