MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 45.1 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
188-4886
Nº ref. fabric.:
SIS126DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiS126DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.15 mm

Longitud

3.15mm

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Canal 80 V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM)

Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM

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