MOSFET, N-Canal Vishay SIA416DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11.3 A, Mejora, SC-70 de 6 pines

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Código RS:
165-6297
Nº ref. fabric.:
SIA416DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

ThunderFET

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

130mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

850mV

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.15mm

Longitud

2.15mm

Altura

750μm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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