MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 12 V, ID 12 A, Mejora, SC-70 de 6 pines

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Código RS:
165-6977
Nº ref. fabric.:
SIA447DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Encapsulado

SC-70

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

71mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.7 mm

Longitud

1.7mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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