MOSFET de potencia Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SIA517DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 6 pines, 2,
- Código RS:
- 814-1225
- Nº ref. fabric.:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
10,48 €
(exc. IVA)
12,68 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 18 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,524 € | 10,48 € |
| 200 - 480 | 0,462 € | 9,24 € |
| 500 - 980 | 0,388 € | 7,76 € |
| 1000 - 1980 | 0,367 € | 7,34 € |
| 2000 + | 0,314 € | 6,28 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 814-1225
- Nº ref. fabric.:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Anchura | 2.15 mm | |
| Longitud | 2.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.8mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Anchura 2.15 mm | ||
Longitud 2.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.8mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia Vishay Tipo N-Canal ID 4.5 A Mejora de 6 pines config. Aislado
- MOSFET Vishay VDSS 20 V SC-70 2, config. Doble
- MOSFET Vishay VDSS 30 V PowerPAK SC-70-6L de 6 pines config. Schottky
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 6 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-70 de 6 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SC-70 de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 6 pines
- MOSFET Vishay VDSS 20 V SC-70 2, config. Doble