MOSFET Vishay SIA517DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4,3 A, 4,5 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 814-1225
Nº ref. fabric.:: SIA517DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIA517DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4,3 A, 4,5 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 01/08/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,499 €

(exc. IVA)

0,604 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 180	0,499 €	9,98 €
200 - 480	0,439 €	8,78 €
500 - 980	0,369 €	7,38 €
1000 - 1980	0,35 €	7,00 €
2000 +	0,299 €	5,98 €
*precio indicativo

Código RS:: 814-1225
Nº ref. fabric.:: SIA517DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,3 A, 4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	12 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	65 MΩ, 170 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	6,5 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Ancho	2.15mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	13,1 nC a 8 V, 9,7 nC a 8 V
Longitud	2.15mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.8mm

Código RS:: 814-1225
Nº ref. fabric.:: SIA517DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIA517DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4,3 A, 4,5 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

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