MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
228-2835
Nº ref. fabric.:
SIA938DJT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

21.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

7.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N doble Vishay proporciona una versatilidad excepcional para el diseño de gestión de potencia.

RDS(on) muy baja y RDS x Qg excelente

Figura de mérito (FOM) en un ultracompacto

tamaño del paquete

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