MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 228-2835
- Nº ref. fabric.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,638 € | 15,95 € |
| 250 - 600 | 0,606 € | 15,15 € |
| 625 - 1225 | 0,51 € | 12,75 € |
| 1250 - 2475 | 0,478 € | 11,95 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2835
- Nº ref. fabric.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 7.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 7.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,5 A - SIA938DJT-T1-GE3
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 4,5 A admite corrientes de carga moderadas
• La baja Rds(on) de 21,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 3,5 nC minimiza la energía de conmutación
• La protección de fuente de puerta máxima de 12 V simplifica el accionamiento de la puerta
• La disipación de potencia de 7,8 W permite un amplio espacio térmico en diseños compactos
Aplicaciones
• Ideal para convertidores dc-dc en sistemas integrados
• Se utiliza para conmutación de carga en módulos de control de automatización
• Puede utilizarse para la distribución de energía en electrónica portátil
¿Qué rango térmico puede tolerar durante el funcionamiento?
¿Cómo está encapsulado el dispositivo para el montaje en PCB?
¿Se puede utilizar este transistor en configuraciones de chip de transistores múltiples?
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se aplican para un funcionamiento robusto?
¿Cuánta potencia puede disipar el dispositivo de manera segura en una PCB?
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