MOSFET Vishay SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,5 A, PowerPAK SC-70-6L doble de 8 pines, 2elementos

Código RS:: 228-2835
Nº ref. fabric.:: SIA938DJT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,5 A, PowerPAK SC-70-6L doble de 8 pines, 2elementos

5975 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

0,509 €

(exc. IVA)

0,616 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 - 225	0,509 €	12,725 €
250 - 600	0,484 €	12,10 €
625 - 1225	0,407 €	10,175 €
1250 - 2475	0,382 €	9,55 €
2500 +	0,356 €	8,90 €

*precio indicativo

Código RS:: 228-2835
Nº ref. fabric.:: SIA938DJT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SIA938DJT-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de canal N doble Vishay proporciona una versatilidad excepcional para el diseño de gestión de potencia.

RDS(on) muy baja y RDS x Qg excelente
Figura de mérito (FOM) en un ultracompacto
tamaño del paquete

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Serie	TrenchFET
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SC-70-6L doble
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0215 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	2

MOSFET Vishay SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,5 A, PowerPAK SC-70-6L doble de 8 pines, 2elementos

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Especificaciones

Enlaces relacionados