MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 228-2835
- Nº ref. fabric.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 250 - 600 | 0,699 € | 17,48 € |
| 625 - 1225 | 0,588 € | 14,70 € |
| 1250 - 2475 | 0,552 € | 13,80 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2835
- Nº ref. fabric.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 7.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 7.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,5 A - SIA938DJT-T1-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N doble compacto de montaje en superficie diseñado para tareas de conmutación y gestión de potencia en sistemas electrónicos. Funciona a niveles de baja tensión y es adecuado para conjuntos compactos donde el espacio de la placa es limitado. El dispositivo admite corrientes continuas moderadas y admite el funcionamiento en un amplio rango de temperaturas para entornos electrónicos industriales y comerciales.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 20 V permite la conmutación del sistema de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 4,5 A admite corrientes de carga moderadas
• La baja Rds(on) de 21,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 3,5 nC minimiza la energía de conmutación
• La protección de fuente de puerta máxima de 12 V simplifica el accionamiento de la puerta
• La disipación de potencia de 7,8 W permite un amplio espacio térmico en diseños compactos
• La corriente de drenaje continua de 4,5 A admite corrientes de carga moderadas
• La baja Rds(on) de 21,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 3,5 nC minimiza la energía de conmutación
• La protección de fuente de puerta máxima de 12 V simplifica el accionamiento de la puerta
• La disipación de potencia de 7,8 W permite un amplio espacio térmico en diseños compactos
Aplicaciones
• Apto para controladores y controladores de motor alimentados por batería
• Ideal para convertidores dc-dc en sistemas integrados
• Se utiliza para conmutación de carga en módulos de control de automatización
• Puede utilizarse para la distribución de energía en electrónica portátil
• Ideal para convertidores dc-dc en sistemas integrados
• Se utiliza para conmutación de carga en módulos de control de automatización
• Puede utilizarse para la distribución de energía en electrónica portátil
¿Qué rango térmico puede tolerar durante el funcionamiento?
Tiene un valor nominal para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que admite funcionamiento en frío y a altas temperaturas.
¿Cómo está encapsulado el dispositivo para el montaje en PCB?
Se suministra en un encapsulado compacto de montaje en superficie SC-70 con un recuento de ocho contactos para la colocación de elementos dobles.
¿Se puede utilizar este transistor en configuraciones de chip de transistores múltiples?
Sí, contiene dos elementos de transistor en una sola matriz configurada como un transistor doble, lo que simplifica la disposición para la conmutación emparejada.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se aplican para un funcionamiento robusto?
La tensión máxima permitida de puerta a fuente es de 12 V
los diseños deben limitar la tensión de accionamiento en consecuencia para evitar exceder este valor nominal.
¿Cuánta potencia puede disipar el dispositivo de manera segura en una PCB?
La disipación de potencia máxima se especifica en 7,8 W, que debe gestionarse a través del diseño térmico de la placa de circuito impreso y el área de cobre adecuada.
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