MOSFET Vishay, N-Canal SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 228-2835
- Nº ref. fabric.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2835
- Nº ref. fabric.:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 7.8W | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 7.8W | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,5 A - SIA938DJT-T1-GE3
Este MOSFET es un transistor de modo de mejora de canal N compacto diseñado para la gestión de potencia de montaje en superficie. Ofrece una solución de conmutación de baja tensión adecuada para conjuntos electrónicos densos y está diseñado para aplicaciones que requieren control de dos canales en un encapsulado SC-70 de 8 contactos. El dispositivo gestiona corrientes continuas moderadas y disipa potencia limitada al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido de 21.5 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La tensión de drenaje máxima de 20 V admite sistemas de baja tensión
• La corriente de drenaje nominal continua de 4,5 A permite cargas moderadas
• La carga de puerta de 3,5 nC permite una conmutación más rápida y una menor energía de accionamiento
• La capacidad de disipación de potencia de 7,8 W ayuda al presupuesto térmico
• El rango de funcionamiento de -55 a 150 °C permite el despliegue a altas temperaturas
• La tensión de drenaje máxima de 20 V admite sistemas de baja tensión
• La corriente de drenaje nominal continua de 4,5 A permite cargas moderadas
• La carga de puerta de 3,5 nC permite una conmutación más rápida y una menor energía de accionamiento
• La capacidad de disipación de potencia de 7,8 W ayuda al presupuesto térmico
• El rango de funcionamiento de -55 a 150 °C permite el despliegue a altas temperaturas
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de distribución de DC alimentadas por batería
• Ideal para rectificación síncrona en convertidores de potencia
• Se utiliza para conmutar cargas de dos canales en placas compactas
• Se puede utilizar para etapas de baja tensión de accionamiento de motor
• Adecuado para entornos con problemas térmicos que requieren piezas de alta temperatura
• Ideal para rectificación síncrona en convertidores de potencia
• Se utiliza para conmutar cargas de dos canales en placas compactas
• Se puede utilizar para etapas de baja tensión de accionamiento de motor
• Adecuado para entornos con problemas térmicos que requieren piezas de alta temperatura
¿Qué método de montaje admite en una PCB?
Se suministra para montaje en superficie en un encapsulado SC-70 de 8 pines, lo que facilita la soldadura automatizada y una disposición compacta.
¿Cómo maneja el dispositivo los límites de accionamiento de puerta?
La tensión de fuente de puerta no debe superar 12 V para evitar la tensión dieléctrica de puerta durante el funcionamiento.
¿Es adecuado el transistor para configuraciones complementarias?
Se trata de una disposición de canal N doble con dos elementos por matriz, lo que permite topologías de interruptor emparejadas donde se requieren dos dispositivos de tipo N.
¿Qué extremos térmicos puede tolerar durante el uso?
El dispositivo está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en un amplio rango térmico.
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