Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4.5 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 2, config. Schottky integrado Dual Plus

Código RS:: 180-7339
Nº ref. fabric.:: SIA817EDJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4.5 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 2, config. Schottky integrado Dual Plus

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3000 - 3000	0,148 €	444,00 €
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Código RS:: 180-7339
Nº ref. fabric.:: SIA817EDJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	PowerPAK SC-70-6L
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.065Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12 V
	Tensión directa Vf	0.56V
	Disipación de potencia máxima Pd	6.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Schottky integrado Dual Plus
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.05mm
	Altura	0.75mm
	Anchura	2.05 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado PowerPAK SC-70-6L
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.065Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V
	Tensión directa Vf 0.56V
	Disipación de potencia máxima Pd 6.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Schottky integrado Dual Plus
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.05mm
	Altura 0.75mm
	Anchura 2.05 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

El Vishay SIA817EDJ es un MOSFET de canal P con diodo schottky que tiene una tensión de drenaje a fuente (VDS) de 30V V. Tiene configuración de schottky doble más integrado. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 12V V. Dispone de encapsulado PAK SC-70 de alimentación. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,065ohms a 10VGS y 0,08ohms a 4,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 4,5A A.

MOSFET de potencia Schottky Little Foot Plus

Encapsulado Power PAK SC-70 térmicamente mejorado, área de tamaño pequeño, resistencia de conexión baja, perfil fino de 0,75 mm

Protección ESD típica (MOSFET): 1500 V (HBM)

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4.5 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 2, config. Schottky integrado Dual Plus

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