Vishay IGBT, SIA433EDJ-T1-GE3, Tipo P-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie

Código RS:: 180-7754
Nº ref. fabric.:: SIA433EDJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Vishay IGBT, SIA433EDJ-T1-GE3, Tipo P-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie

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Código RS:: 180-7754
Nº ref. fabric.:: SIA433EDJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	IGBT
	Disipación de potencia máxima Pd	19W
	Encapsulado	PowerPAK SC-70-6L
	Tipo de montaje	Superficie
	Tipo de canal	Tipo P
	Número de pines	6
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.8mm
	Longitud	2.15mm
	Anchura	2.15 mm
	Certificaciones y estándares	to RoHS Directive 2002/95/EC, Halogen Free According to IEC 61249-2-21
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto IGBT
	Disipación de potencia máxima Pd 19W
	Encapsulado PowerPAK SC-70-6L
	Tipo de montaje Superficie
	Tipo de canal Tipo P
	Número de pines 6
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.8mm
	Longitud 2.15mm
	Anchura 2.15 mm
	Certificaciones y estándares to RoHS Directive 2002/95/EC, Halogen Free According to IEC 61249-2-21
	Estándar de automoción No

Datasheet

MOSFET Vishay

El MOSFET POWERPAK-SC70-6 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 12V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 18mohms a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 19W mW y una corriente de drenaje continua de 12A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 1,8V V y 4,5V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Protección ESD integrada con diodo zener

• Libre de halógenos

• Componente sin plomo (Pb)

• Baja resistencia de conexión

• Nuevo encapsulado POWERPAK SC-70 térmicamente mejorado

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• Área de tamaño pequeño

• MOSFET de potencia TrenchFET

• El rendimiento típico de ESD es de 1800V kV

Aplicaciones

• Interruptores de batería

• Interruptores del cargador

• Interruptores de carga

• Dispositivos portátiles

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado