MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA4265EDJ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 9 A, PowerPAK SC-70

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

444,00 €

(exc. IVA)

537,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,148 €444,00 €

*precio indicativo

Código RS:
239-5367
Nº ref. fabric.:
SIA4265EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

SIA

Encapsulado

PowerPAK SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.032Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

15.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

El MOSFET de canal P de Vishay tiene una corriente de drenaje de -9 A. Se utiliza para interruptores de carga, interruptores de batería, interruptores de cargador

Probado al 100 % Rg

Encapsulado PowerPAK® SC-70 térmicamente mejorado

Área de huella pequeña

Resistencia de conexión baja

Protección contra ESD típica: 3.000 V (HBM)

Enlaces relacionados