MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIA5213DJ-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -36 A, Mejora, PowerPAK SC-70 de 6 pines

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Código RS:
735-255
Nº ref. fabric.:
SIA5213DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-36A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK SC-70

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.019Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

2.15 mm

Longitud

2.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

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