Vishay IGBT, SIA456DJ-T1-GE3, Tipo N-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie
- Código RS:
- 180-7793
- Nº ref. fabric.:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7793
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- SIA456DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19W | |
| Encapsulado | PowerPAK SC-70-6L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 6 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 16 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.6 mm | |
| Longitud | 2.15mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19W | ||
Encapsulado PowerPAK SC-70-6L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 6 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 16 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.6 mm | ||
Longitud 2.15mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET SC-70-6 de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 200V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 16V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1380mohms a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 19W mW y una corriente de drenaje continua de 2,6A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 1,8V V y 4,5V V respectivamente. Tiene aplicación en convertidor elevador para dispositivos portátiles. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Baja resistencia de conexión
• Nuevo encapsulado POWERPAK SC-70 térmicamente mejorado, área de tamaño reducido
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007