MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA112LDJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 8.8 A, Mejora, SC-70-6L de 7 pines
- Código RS:
- 279-9900
- Nº ref. fabric.:
- SIA112LDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 100 - 240 | 0,431 € | 4,31 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9900
- Nº ref. fabric.:
- SIA112LDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SC-70-6L | |
| Serie | SIA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.119Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 15.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.05mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SC-70-6L | ||
Serie SIA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.119Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 15.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.05mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x factor de mérito Qg
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
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