MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA112LDJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 8.8 A, Mejora, SC-70-6L de 7 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
279-9900
Nº ref. fabric.:
SIA112LDJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SIA

Encapsulado

SC-70-6L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.119Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

15.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.05mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x factor de mérito Qg

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Enlaces relacionados