MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SC-70-6L de 6 pines

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Código RS:
178-3667
Nº ref. fabric.:
SiA106DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-70-6L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0185Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.9nC

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Anchura

1.35 mm

Longitud

2.2mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

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