Nº ref. fabric.

MOSFET, N-Canal Vishay SiA106DJ-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SC-70-6L de 6 pines

No disponible actualmente

Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay Siliconix
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SC-70-6L
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0185Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	19W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	2.2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.35mm
	Altura	1mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay Siliconix
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SC-70-6L
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0185Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 19W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 2.2mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.35mm
	Altura 1mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

Enlaces relacionados

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.