MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA4446DJ-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 31 A, Mejora, SC-70 de 7 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

6,37 €

(exc. IVA)

7,71 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 5970 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 400,637 €6,37 €
50 - 900,478 €4,78 €
100 - 2400,424 €4,24 €
250 - 9900,416 €4,16 €
1000 +0,409 €4,09 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
279-9902
Nº ref. fabric.:
SIA4446DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SC-70

Serie

SIA

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.011Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

19.2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.05mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x factor de mérito Qg

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Enlaces relacionados