MOSFET Vishay SI1441EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3079
Nº ref. fabric.:: SI1441EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1441EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 27/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Tiras de 20)

0,438 €

(exc. IVA)

0,53 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Cinta*
20 - 180	0,438 €	8,76 €
200 - 480	0,333 €	6,66 €
500 - 980	0,307 €	6,14 €
1000 - 1980	0,263 €	5,26 €
2000 +	0,227 €	4,54 €
*precio indicativo

Código RS:: 812-3079
Nº ref. fabric.:: SI1441EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	2,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-10 V, +10 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 8 V
Longitud	2.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.35mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm

Código RS:: 812-3079
Nº ref. fabric.:: SI1441EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1441EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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