Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA447DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 12 A, Mejora, SC-70 de 6 pines

Código RS:: 787-9288
Nº ref. fabric.:: SIA447DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA447DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 12 A, Mejora, SC-70 de 6 pines

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Código RS:: 787-9288
Nº ref. fabric.:: SIA447DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Encapsulado	SC-70
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	71mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-8V, +8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	52nC
	Disipación de potencia máxima Pd	19W
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.7mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	800μm
	Longitud	1.7mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Encapsulado SC-70
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 71mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC
	Disipación de potencia máxima Pd 19W
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.7mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 800μm
	Longitud 1.7mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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