MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA447DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 12 A, Mejora, SC-70 de 6 pines
- Código RS:
- 787-9288
- Nº ref. fabric.:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,326 € | 3,26 € |
| 100 - 490 | 0,31 € | 3,10 € |
| 500 - 990 | 0,278 € | 2,78 € |
| 1000 - 2490 | 0,169 € | 1,69 € |
| 2500 + | 0,157 € | 1,57 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 787-9288
- Nº ref. fabric.:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 71mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Anchura | 1.7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 71mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 1.7mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Anchura 1.7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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