MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA416DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11.3 A, Mejora, SC-70 de 6 pines
- Código RS:
- 818-1441
- Nº ref. fabric.:
- SIA416DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
5,54 €
(exc. IVA)
6,70 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 13 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,277 € | 5,54 € |
| 200 - 480 | 0,228 € | 4,56 € |
| 500 - 980 | 0,211 € | 4,22 € |
| 1000 - 1980 | 0,206 € | 4,12 € |
| 2000 + | 0,201 € | 4,02 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 818-1441
- Nº ref. fabric.:
- SIA416DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | ThunderFET | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 130mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.85V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.15mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie ThunderFET | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.85V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.15mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SC-70 de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 6 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-70 de 6 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SC-70 de 7 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SC-70 de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 6 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SC-70-6L de 7 pines
- MOSFET VDSS 60 V SC-70