MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 5.1 A, Mejora, SC-75 de 6 pines

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

594,00 €

(exc. IVA)

720,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 07 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,198 €594,00 €

*precio indicativo

Código RS:
165-7263
Nº ref. fabric.:
SIB406EDK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-75

Serie

SiB406EDK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

10W

Tensión directa Vf

0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.8mm

Longitud

1.7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados