MOSFET Vishay SI1021R-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 A, SC-75 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
180-7825
Nº ref. fabric.:
SI1021R-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

190 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SC-75

Serie

TrenchFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 O

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Número de Elementos por Chip

1

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia TrenchFET serie Si1021R de Vishay Siliconix tiene baja resistencia de estado de conexión y velocidad de conmutación rápida. Se utiliza en sistemas alimentados por batería, circuitos convertidores de fuente de alimentación, relés de estado sólido y en controladores.

Interruptores de accionamiento sencillo
Baja tensión de offset
Funcionamiento de baja tensión
Circuitos de alta velocidad
Accionamiento sencillo sin búfer
Pequeña área de tabla

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