MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI1032R-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 210 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines
- Código RS:
- 165-7260
- Nº ref. fabric.:
- SI1032R-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 165-7260
- Nº ref. fabric.:
- SI1032R-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 210mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SC-75 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 6V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 340mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 1.68mm | |
| Anchura | 0.86mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Altura | 0.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 210mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SC-75 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 6V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 340mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 1.68mm | ||
Anchura 0.86mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Altura 0.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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