MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 210 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines

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Código RS:
165-7260
Nº ref. fabric.:
SI1032R-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

210mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-75

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

340mW

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±6 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Anchura

0.86 mm

Altura

0.8mm

Longitud

1.68mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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