MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 700 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
812-3094
Nº ref. fabric.:
SI1553CDL-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

700mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.48mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

340mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-12/12 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

2.2mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.35 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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