MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 700 mA, SC-70-6, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 165-6904
- Nº ref. fabric.:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
318,00 €
(exc. IVA)
384,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de abril de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,106 € | 318,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-6904
- Nº ref. fabric.:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 700mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SC-70-6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.48mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 340mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12, -12V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.35mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 700mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SC-70-6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.48mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 340mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12, -12V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.35mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET de la serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 700 mA - SI1553CDL-T1-GE3
Este MOSFET es un transistor compacto de montaje en superficie de dos canales diseñado para tareas de conmutación y analógicas en conjuntos de perfil pequeño. Integra dispositivos de canal P y canal N en un solo chip, lo que permite topologías de conmutación complementarias y requisitos de huella simplificados para diseñadores que trabajan con carriles de alimentación de baja tensión y conmutación de nivel de señal.
Características y ventajas:
• Rds(on) muy baja de 1.48 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Carga de puerta típica Qg de 1,2 nC para una respuesta de accionamiento de puerta más rápida
• Corriente de drenaje nominal continua de 700 mA para conmutación de carga moderada
• Vds máximo de 20 V para admitir dominios de potencia de baja tensión
• Capacidad de disipación de potencia de 340 mW para gestionar cargas térmicas
• Carga de puerta típica Qg de 1,2 nC para una respuesta de accionamiento de puerta más rápida
• Corriente de drenaje nominal continua de 700 mA para conmutación de carga moderada
• Vds máximo de 20 V para admitir dominios de potencia de baja tensión
• Capacidad de disipación de potencia de 340 mW para gestionar cargas térmicas
Aplicaciones
• Apto para circuitos de gestión de baterías y distribución de potencia
• Ideal para conmutación de carga en instrumentación portátil
• Se utiliza con etapas FET complementarias y de cambio de nivel
• Se puede utilizar para etapas de controlador de motor de baja tensión
• Ideal para conmutación de carga en instrumentación portátil
• Se utiliza con etapas FET complementarias y de cambio de nivel
• Se puede utilizar para etapas de controlador de motor de baja tensión
¿Qué tipo de encapsulado utiliza y cuántos contactos hay?
Se suministra en un encapsulado SMD SC-70 de seis contactos que conserva el área de la placa al tiempo que proporciona terminales independientes para dispositivos dobles.
¿Qué límites de tensión de puerta debe respetar el diseño?
La tensión de puerta a fuente debe contenerse en ±12 V para evitar la tensión del dispositivo y garantizar un funcionamiento seguro.
¿Qué rango de temperatura de funcionamiento se puede esperar en el despliegue?
Toleran un amplio rango de temperatura ambiente de –55 a 150 °C, por lo que admiten entornos térmicos exigentes.
¿Incluye el dispositivo varios elementos por matriz y cómo afecta esto al diseño?
El chip alberga dos elementos discretos, lo que permite el enrutamiento en espejo para circuitos complementarios y reduce el número de componentes.
Enlaces relacionados
- MOSFET Vishay Tipo N-Canal SI1553CDL-T1-GE3 ID 700 mA Mejora de 6 pines config.
- MOSFET Vishay Tipo P-Canal SI1025X-T1-GE3 ID 135 mA Mejora de 6 pines config. Aislado
- MOSFET Vishay Tipo N-Canal SI1029X-T1-GE3 ID 300 mA Mejora de 6 pines config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V SC-88 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V SC-88 2, config.
- MOSFET Vishay VDSS 20 V SC-89 2, config. Doble
- MOSFET Vishay VDSS 20 V PowerPAK SC-70-6L de 6 pines config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 30 V PowerPAK SC-70-6L de 6 pines config. Schottky