MOSFET onsemi, Tipo P-Canal NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
780-0611
Nº ref. fabric.:
NTJD4152PT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

880mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

350mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.2nC

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1mm

Anchura

1.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.2mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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