MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
739-0189
Nº ref. fabric.:
FDG6303N
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

500mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

770mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

300mW

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.25 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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