MOSFET onsemi FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 178-7601
Nº ref. fabric.:: FDG6303N
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

305 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,109 €

(exc. IVA)

0,132 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,109 €	327,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 178-7601
Nº ref. fabric.:: FDG6303N
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

MOSFET N Channel 25V 0.5A 6 Pin SC-70

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	770 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.65V
Disipación de Potencia Máxima	300 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+8 V
Número de Elementos por Chip	2
Ancho	1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,64 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	2mm
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C