MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 25 V, ID 500 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
178-7601
Nº ref. fabric.:
FDG6303N
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

500mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

770mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

300mW

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.25 mm

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

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En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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